IT之家 11 月 1 日音信，凭证 DigiTimes 报谈，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 潜入，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中比特派正版，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个加多到 4 个，有望显著改善性能和功耗。

三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的进格局位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，估计 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过加多纳米片数目进一步改善工艺。

第一区【01-16】分析：历史上该区开出了4162个奖号，表现最热的号码为：12比特派正版，开出了274次，表现最冷的号码为：10，出现247次；

第【1-4】位分析：最近10期号码奇偶比为19：21，奇偶号码走势与理论基本相当，其中有8期偶数表现较热，有2期奇数走势热出，有4期奇偶号码平衡，最近5期号码奇偶比为7：13，偶数走势活跃上期号码奇偶比为1：3，开出奖号为02、12、15、16，本期预计奇数号码转热，关注号码01、07、14、17。

每个晶体管加多纳米片数目，不错增强驱动电流，从而进步性能比特派正版，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关智商和开动速率。

此外，更多的纳米片不错更好地适度电流，这有助于减少走电流，从而缩小功耗。此外，改良的电流适度还意味着晶体管产生的热量更少，从而进步了功率后果。

IT之家此前报谈，三星还估计在 1.4nm 工艺中给与背部供电（BSPDN）时候，旨在更好地挖掘晶圆后头空间的后劲，但于今仍未在大家领域内引申。

天然当今半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为时候节点进行系统定名，但毫无疑问当今的工艺时候亦然数字越小越先进。

跟着半导体工艺微缩路子束缚地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也束缚缩窄，从而对互相产生搅扰，而 BSPDN 时候则不错克服这一舍弃，这是因为咱们不错诈欺晶圆后头来构建供电路子，以分隔电路和电源空间。

《三星估计 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电时候》

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